[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了非易失性存储器件及其制造方法。半导体存储器件包括：栅极绝缘层，形成在半导体衬底之上；用于选择晶体管和存储器单元的第一导电层图案，形成在栅极绝缘层上；电介质层，形成在第一导电层图案上；第二导电层图案，形成在用于存储器单元的第一导电层图案之上的电介质层上；以及选择线，由电阻比第二导电层图案更低的材料制成并且耦合到用于选择晶体管的第一导电层图案。

主权项

一种半导体存储器件，包括：栅极绝缘层，形成在半导体衬底的第一区域和第二区域之上，其中所述第一区域用于形成选择晶体管，所述第二区域用于形成存储器单元；用于所述选择晶体管和所述存储器单元的第一导电层图案，形成在所述第一区域和所述第二区域之上的栅极绝缘层之上；电介质层，形成在所述第一区域和所述第二区域之上的第一导电层图案之上；第二导电层图案，形成在用于所述存储器单元的第一导电层图案之上的电介质层上；以及选择线，具有比所述第二导电层图案更低的电阻并且耦合到用于所述选择晶体管的第一导电层图案。