[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

栅极绝缘层，形成在半导体衬底的第一区域和第二区域之上，其中所述第一区域用于形成选择晶体管，所述第二区域用于形成存储器单元；

用于所述选择晶体管和所述存储器单元的第一导电层图案，形成在所述第一区域和所述第二区域之上的栅极绝缘层之上；

电介质层，形成在所述第一区域和所述第二区域之上的第一导电层图案之上；

第二导电层图案，形成在用于所述存储器单元的第一导电层图案之上的电介质层上；以及

选择线，具有比所述第二导电层图案更低的电阻并且耦合到用于所述选择晶体管的第一导电层图案。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二导电层图案还形成在所述第一区域中的用于所述选择晶体管的第一导电层图案上的电介质层上。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：第一层间电介质层，用于将所述选择线与所述第一区域中形成在用于所述选择晶体管的第一导电层图案上的第二导电层图案绝缘。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：间隔物，形成在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域中的第一导电层图案、电介质层和第二导电层图案的侧壁上。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：辅助线，所述辅助线具有比所述第二导电层图案更低的电阻并且耦合到所述选择线。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述辅助线由金属形成。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述辅助线包括钨(W)、钴(Co)或镍(Ni)或金属硅化物层。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二导电层图案具有多晶硅层和金属硅化物层的层叠结构。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述选择线包括金属。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

形成在所述半导体衬底的第一区域中的所述选择晶体管的结；以及

耦合到所述结的公共源极线，

其中所述选择线由与所述公共源极线的材料基本上相同的材料制成。

11.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上层叠第一导电层、电介质层和第二导电层；

通过刻蚀所述第二导电层、所述电介质层和所述第一导电层，形成用于选择晶体管和存储器单元的第一导电层图案和第二导电层图案；

刻蚀用于所述选择晶体管的第一导电层图案之上的第二导电层图案，使得露出所述电介质层；

在半导体衬底之上形成第一层间电介质层以填充所述第二导电层图案的刻蚀部分；

刻蚀所述第一层间电介质层和所述电介质层以露出用于所述选择晶体管的所述第一导电层图案；以及

通过用与所述第二导电层图案的材料相比具有更低电阻的材料填充所述电介质层和所述第一层间电介质层的刻蚀部分，形成耦合到所述第一导电层图案的选择线。

12.根据权利要求11所述的方法，其中当通过刻蚀所述第二导电层图案露出电介质层时，露出的电介质层的宽度与用于所述选择晶体管的第一导电层图案的宽度基本上相同或者基本上比用于所述选择晶体管的第一导电层图案的宽度更窄。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：在刻蚀所述第二导电层图案之前，在所述第二导电层图案、所述电介质层和所述第一导电层图案的侧壁上形成间隔物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中当刻蚀所述第二导电层图案时，使用所述间隔物和所述电介质层作为刻蚀停止层。

15.根据权利要求11所述的方法，其中在所述半导体衬底之上形成第一层间电介质层包括：

形成第一绝缘层以填充所述第二导电层图案的刻蚀部分；

对所述第一绝缘层进行抛光以露出所述第二导电层图案；以及

在包括所述第二导电层图案的第一绝缘层上形成第二绝缘层。