[发明专利]止裂阻挡层及其制造方法有效
| 申请号： | 201110292553.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102446865A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | S.温特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/28;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;蒋骏 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及止裂阻挡层及其制造方法。公开了一种晶片。所述晶片包括多个芯片和多个切缝。所述多个切缝中的切缝将一个芯片与另一芯片分离。所述切缝包括止裂阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片，包括：多个芯片；以及多个切缝，其中所述多个切缝中的切缝将一个芯片与另一芯片分离，并且其中所述切缝包括第一止裂阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110292553.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：陶瓷切割模板
- 下一篇：通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法
