[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110275417.5 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102412292A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 引田正洋;柳原学 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供一种常截止型半导体装置，能够降低截止时的漏电流，适用于功率开关元件，具有：衬底(101)；在衬底(101)之上形成的无掺杂GaN层(103)；在无掺杂GaN层(103)之上形成的无掺杂AlGaN层(104)；在无掺杂(GaN)层103或无掺杂AlGaN层(104)之上形成的源极电极(107)以及漏极电极(108)；在无掺杂AlGaN层(104)之上形成的、在源极电极(107)和漏极电极(108)之间配置的p型GaN层(105)；在p型GaN层(105)之上形成的栅极电极(106)；无掺杂GaN层(103)具有包含沟道的有源区(113)和不包含沟道的非有源区(112)；p型GaN层(105)以围绕源极电极(107)的方式而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：衬底；第1氮化物半导体层，形成在上述衬底之上；第2氮化物半导体层，形成在上述第1氮化物半导体层之上，与上述第1氮化物半导体层相比禁带宽度大；源极电极及漏极电极，形成在上述第1氮化物半导体层或上述第2氮化物半导体层之上；p型的第3氮化物半导体层，形成在上述第2氮化物半导体层之上，配置在上述源极电极和上述漏极电极之间；以及栅极电极，形成在上述第3氮化物半导体层之上，上述第1氮化物半导体层具有包含沟道的有源区和不包含沟道的非有源区，上述第3氮化物半导体层以围绕上述源极电极及上述漏极电极中的至少一个的方式而配置。
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