[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

衬底；

第1氮化物半导体层，形成在上述衬底之上；

第2氮化物半导体层，形成在上述第1氮化物半导体层之上，与上述第1氮化物半导体层相比禁带宽度大；

源极电极及漏极电极，形成在上述第1氮化物半导体层或上述第2氮化物半导体层之上；

p型的第3氮化物半导体层，形成在上述第2氮化物半导体层之上，配置在上述源极电极和上述漏极电极之间；以及

栅极电极，形成在上述第3氮化物半导体层之上，

上述第1氮化物半导体层具有包含沟道的有源区和不包含沟道的非有源区，

上述第3氮化物半导体层以围绕上述源极电极及上述漏极电极中的至少一个的方式而配置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述非有源区通过非导电型杂质的离子注入而形成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第3氮化物半导体层配置为，横穿上述非有源区和上述有源区之间的界面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第3氮化物半导体层配置为，不横穿上述非有源区和上述有源区之间的界面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

上述栅极电极以围绕上述源极电极或上述漏极电极的方式而配置。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

在上述第2氮化物半导体层，形成有凹部，

在上述凹部的内部，形成有上述第3氮化物半导体层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体装置还具备绝缘膜，该绝缘膜形成在上述第3氮化物半导体层和上述栅极电极之间。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1氮化物半导体层由Al_xGa_1-xN构成，

上述第2氮化物半导体层由Al_yGa_1-yN构成，

上述第3氮化物半导体层由Al_zGa_1-zN构成，

其中，0≤x≤1，0＜y≤1，0≤z≤1。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体装置是常截止型的晶体管。

10.如权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体装置，在上述源极电极和上述漏极电极之间具备2个上述第3氮化物半导体层，

一个上述第3氮化物半导体层以围绕上述源极电极的方式而配置，另一个上述第3氮化物半导体层以围绕上述漏极电极的方式而配置，

上述半导体装置具备2个上述栅极电极，

作为一个上述栅极电极的第1栅极电极，形成在围绕上述源极电极的上述第3氮化物半导体层之上，作为另一个上述栅极电极的第2栅极电极，形成在围绕上述漏极电极的上述第3氮化物半导体层之上。