[发明专利]一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110274962.2 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102290458A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李述体;张康 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510631 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法。所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅰ为量子阱层结构，吸收层Ⅱ是非故意掺杂InGaN。本发明在现有量子阱太阳能电池的结构基础上增加了i型InGaN吸收层的结构，由于量子阱吸收层Ⅰ和InGaN吸收层Ⅱ的吸收限不同，可以有效拓宽吸收谱；同时，由于i型InGaN层也可以吸收光子，引入此层可以增加吸收层的总厚度，从而提高了光电转换效率，提高了太阳能电池的整体性能。本发明提供了所述外延片的制备方法，简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 太阳能电池 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InGaN太阳能电池外延片，其特征在于所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅱ位于吸收层Ⅰ和p型层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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