[发明专利]超低介电常数薄膜铜互连的制作方法

摘要

本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上将要形成通孔和沟槽的区域覆盖遮蔽图形，使得超低介电常数薄膜经紫外线照射后仅在上述区域外得到多孔结构的超低介电常数薄膜，将要形成通孔和沟槽区域的超低介电常数薄膜结构致密，不会在后续的等离子体刻蚀中、灰化步骤中、溅射淀积势垒层和籽晶层中、化学机械研磨中造成损伤。本发明所述的制作方法具有超低介电常数薄膜的介电常数不变、稳定的优点，同时此制作方法也使得制作流程中刻蚀、灰化、清洗工艺容易完成、效果好。

主权项

一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，其特征在于：在硅片上沉积刻蚀停止层，在刻蚀停止层上沉积超低介电常数薄膜；通过光刻在超低介电常数薄膜上形成遮蔽图形，然后用紫外线照射超低介电常数薄膜，在超低介电常数薄膜中除遮蔽图形以下的区域外形成多孔结构，去除遮蔽图形；在超低介电常数薄膜上依次沉积氧化物硬模和金属硬模，在金属硬模上涂覆光刻胶并通过光刻形成通孔和/或沟槽的光刻窗口，刻蚀所述光刻窗口内的金属硬模，刻蚀停留在氧化物硬模上，去除金属硬模上的光刻胶，在金属硬模中形成刻蚀窗口，刻蚀所述刻蚀窗口内的氧化物硬模、超低介电常数薄膜及刻蚀停止层，形成通孔和/或沟槽；在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，并采用电镀工艺填充通孔和/或沟槽，形成铜互连层；其中所述遮蔽图形与所述光刻窗口的位置对应且所述遮蔽图形的大小大于或等于所述光刻窗口的大小。