[发明专利]在半导体基板上形成凹陷阵列元件结构的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体基板上形成凹陷阵列元件结构的方法，包括以下步骤：提供一包含半导体基板及第一材料的基材；形成多个第二凹陷于该半导体基板上；形成一第二材料于所述多个第二凹陷内；形成一金属层于该第二材料及该基材上，其中该金属层包括一第一部分及一第二部分；移除该第二部分以形成多个金属层开口；以及根据所述多个金属层开口蚀刻该基材以形成多个第三凹陷。由此，该金属层可以克服蚀刻工艺中非选择性的问题。

主权项

一种在半导体基板上形成凹陷阵列元件结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基材，该基材包含一半导体基板及一第一材料，该半导体基板具有多个第一凹陷，该第一材料位于所述多个第一凹陷内，且该第一材料与该半导体基板不同；形成多个第二凹陷于该半导体基板上，其中所述多个第二凹陷与所述多个第一凹陷相交；形成一第二材料于所述多个第二凹陷内，其中该第二材料突出于该基材；形成一金属层于该突出的第二材料及该基材上，其中该金属层包括一第一部分及一第二部分，该第一部分覆盖该突出的第二材料，且该第二部分覆盖该基材；移除该金属层的第二部分以形成多个金属层开口而曝露该基材；以及根据所述多个金属层开口蚀刻该基材以形成多个第三凹陷，其中所述多个第三凹陷与所述多个第一凹陷相交且与所述多个第二凹陷平行。