[发明专利]互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法

摘要

本发明互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法解决了现有技术中互补金属氧化物半导体工艺器件通常包含CMOS、异质结NPN管和寄生的PNP管导致的基区宽度较宽，电流放大系数和频率特征较低的问题，由此方法制作的垂直型寄生PNP管较横向型寄生PNP管其基区宽度窄，因而有较高的电流放大系数和频率特性。

主权项

一种互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，在一P型硅衬底上形成N型外延层、N型埋层、深沟槽隔离区以及异质结双极晶体管的集电极沟道，其特征在于，包括以下步骤：    步骤a：在N型埋层的上方进行P型注入，以形成寄生垂直型PNP管的P阱；    步骤b：对寄生垂直型PNP的基区进行NLDD注入，以形成寄生垂直型PNP的基区；步骤c：在P型硅衬底上淀积介电层，刻蚀打开部分覆盖在基区上的介电层，以形成基区窗口，之后，在介电层上生长基区外延层，使介电外延层置于基区窗口的部分与基区相接触；    步骤d：刻蚀去除部分介电层和基区外延层，仅保留覆盖在基区上且设有基区窗口的部分介电层以及基区外延层；    步骤e：对寄生垂直型PNP的集电极区域进行P+注入，以形成寄生垂直型PNP的集电极区域；    步骤f：进行后续的金属硅化物、接触孔、金属连线工艺。