[发明专利]一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管

摘要

本发明公开了一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，P型重掺杂半导体接触区呈现“十”字形状，且“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区将N型重掺杂半导体源区分割形成四块互不连通的块体。该结构可以在不影响器件导通电阻性能且不增加工艺制造步骤和困难度的基础上，减少寄生三极管开启的可能性，从而提高器件的雪崩耐量，进一步保证了器件工作在恶劣条件下的可靠性。

主权项

一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，所述的管单元包括：漏极金属（1），在漏极金属（1）上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底（2），在重掺杂N型硅衬底（2）上设有N型掺杂外延层（3），在N型掺杂外延层（3）中设有一排P型掺杂柱状半导体区（4），在P型掺杂柱状半导体区（4）上设有P型掺杂半导体体区（5），且P型掺杂半导体体区（5）位于N型掺杂外延层（3）内，在P型掺杂半导体体区（5）中设有N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）以外的N型掺杂外延层（3）表面区域设有栅氧化层（8），在栅氧化层（8）上方设有多晶硅栅（9），在多晶硅栅（9）的上方及两侧设有氧化层（10），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）上连接有源极金属（11），    其特征在于，P型重掺杂半导体接触区（7）呈现“十”字形状，且“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区（7）将N型重掺杂半导体源区（6）分割形成四块互不连通的块体。