[发明专利]一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管有效
| 申请号： | 201110255268.6 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102299173A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李海松;王钦;陶平;陈文高;易扬波 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
1. 一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，所述的管单元包括：漏极金属（1），在漏极金属（1）上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底（2），在重掺杂N型硅衬底（2）上设有N型掺杂外延层（3），在N型掺杂外延层（3）中设有一排P型掺杂柱状半导体区（4），在P型掺杂柱状半导体区（4）上设有P型掺杂半导体体区（5），且P型掺杂半导体体区（5）位于N型掺杂外延层（3）内，在P型掺杂半导体体区（5）中设有N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）以外的N型掺杂外延层（3）表面区域设有栅氧化层（8），在栅氧化层（8）上方设有多晶硅栅（9），在多晶硅栅（9）的上方及两侧设有氧化层（10），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）上连接有源极金属（11），
其特征在于，P型重掺杂半导体接触区（7）呈现“十”字形状，且“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区（7）将N型重掺杂半导体源区（6）分割形成四块互不连通的块体。
2.根据权利要求1所述的超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，其特征在于，由“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区（7）分割N型重掺杂半导体源区（6）形成的四块互不连通的块体的形状及大小相同。
3.根据权利要求1所述的超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，其特征在于，P型重掺杂半导体接触区（7）陷于P型掺杂半导体体区（5）内的深度大于陷于N型重掺杂半导体源区（6）内的深度。
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