[发明专利]用于半导体器件的伸长凸块结构无效
| 申请号： | 201110244329.9 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102629597A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郭庭豪;陈玉芬;陈承先;余振华;吴胜郁;庄其达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L23/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口的部分延伸到最上方保护层上方，使得从开口的边缘到凸块的边缘的距离与凸块结构的长度的比率大于或者等于大约0.2。在另一实施例中，开口的位置相对于凸块的中心产生偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 伸长 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基板，包括导电焊盘；介电层，位于所述基板上方，所述介电层中具有开口，所述介电层位于所述导电焊盘的至少一部分上方；以及凸块结构，与所述导电焊盘电接触，从所述凸块结构的边缘到所述开口的边缘与所述凸块结构的长度的比率大于或者等于0.2。
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