[发明专利]制造栅极介电层的方法有效
| 申请号： | 201110243168.1 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102738221A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李威养;于雄飞;李达元;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造，更具体地来说，涉及带有栅极介电层的半导体器件。一种半导体器件的示例性结构包括：衬底，具有第一有源区域；第一栅极结构，位于第一有源区域上方，其中，第一栅极结构包括第一界面层，具有凸形顶面；第一高-k电介质，位于第一界面层上方；以及第一栅电极，位于第一高-k电介质上方。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 栅极 介电层 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有第一有源区域；第一栅极结构，位于所述第一有源区域上方，其中，所述第一栅极结构包括：第一界面层，具有凸型顶面；第一高‑k电介质，位于所述第一界面层上方；以及第一栅电极，位于所述第一高‑k电介质上方。
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