[发明专利]电子束投射装置、处理基板及制造电子束投射装置的方法有效
| 申请号： | 201110241569.3 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102768970A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡飞国;于淳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/263 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘晓飞;张龙哺 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子束投射装置、制造电子束投射装置的方法以及使用电子束投射装置处理基板的方法。示范例的电子束投射装置包括具有多个芯片的基板，其中每个芯片包括芯片架构。芯片架构包括压电薄膜部分以及设置于压电薄膜部分上方的尖端。本发明可降低工艺时间及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 投射 装置 处理 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束投射装置，包括：一基板，具有多个芯片，其中每个芯片包括一芯片架构，该芯片架构具有：一压电薄膜部分；以及一尖端，设置于该压电薄膜部分上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
