[发明专利]电子束投射装置、处理基板及制造电子束投射装置的方法

权利要求书

1.一种电子束投射装置，包括：

一基板，具有多个芯片，其中每个芯片包括一芯片架构，该芯片架构具有：

一压电薄膜部分；以及

一尖端，设置于该压电薄膜部分上方。

2.根据权利要求1所述的电子束投射装置，还包括电耦接该压电薄膜部分的一第一偏压特征，该压电薄膜部分及该第一偏压特征被设定为当该第一偏压特征改变施加到该压电薄膜部分的一第一偏压时该尖端的一位置被调整。

3.根据权利要求2所述的电子束投射装置，还包括电耦接该尖端的一第二偏压特征，该尖端及该第二偏压特征被设定以使该尖端根据施加于该尖端的一第二偏压处理另一基板；

其中该第一偏压特征及该第二偏压特征包括铝及铜其中一种。

4.根据权利要求1所述的电子束投射装置，其中该尖端包括设置于该压电薄膜部分上方的一第一部分以及设置于该第一部分上方的一第二部分。

5.根据权利要求4所述的电子束投射装置，其中该第一部分包括一半导体材料；以及

该第二部分包括一导电材料；

其中该半导体材料是硅；以及

该导电材料是铂。

6.根据权利要求1所述的电子束投射装置，其中该尖端具有大约5nm到10nm的曲率半径；

其中该尖端具有小于或等于大约0.01nm²的尖端面积；

其中该多个芯片通过一浅沟槽绝缘特征彼此隔离。

7.一种以电子束投射装置处理基板的方法，包括：

提供一第一基板在一第二基板上，其中该第一基板具有多个芯片，每个芯片包括一压电部分及位于该压电部分上方的一尖端；

施加一第一偏压到每一芯片的该压电部分，以至于每一尖端被定位以对该第二基板上进行一制造工艺；以及

施加一第二偏压到每一芯片的该尖端，以至于该制造工艺被实施于该第二基板。

8.根据权利要求7所述的处理基板的方法，还包括在该制造工艺实施于该第二基板的期间变化该第一偏压到每一芯片的该压电部分。

9.根据权利要求7所述的处理基板的方法，其中该施加该第一偏压到每一芯片的该压电部分，以至于每一尖端被定位以对该第二基板进行制造工艺，包括控制每一尖端在x、y及z方向的位移。

10.根据权利要求7所述的处理基板的方法，其中该施加该第一偏压到每一芯片的该压电部分，以至于每一尖端被定位以对该第二基板进行制造工艺，包括实施一光刻程序于该第二基板。

11.根据权利要求7所述的处理基板的方法，其中该施加该第一偏压到每一芯片的该压电部分，以至于每一尖端被定位以对该第二基板进行制造工艺，包括实施一氧化程序于该第二基板。

12.根据权利要求7所述的处理基板的方法，其中该施加该第一偏压到每一芯片的该压电部分，以至于每一尖端被定位以对该第二基板实施一测量程序或一检验程序之一。

13.一制造电子束投射装置的方法，包括：

形成多个压电特征于一基板上；以及

形成多个尖端于多个压电特征上，以至于每个压电特征上方皆设置该多个尖端之一。

14.根据权利要求13所述的制造电子束投射装置的方法，还包括形成多个第一偏压特征，以至于每一压电特征电耦接该多个第一偏压特征的一个；

形成多个第二偏压特征，以至于每一尖端电耦接该多个第二偏压特征的一个。