[发明专利]基座及具有该基座的用于化学气相沉积的设备无效
| 申请号： | 201110230111.8 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102373442A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李元伸 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种基座和一种用于化学气相沉积(CVD)的设备。该基座包括：主体，被构造成包括具有不平坦表面的安装单元；和基底支撑单元，被构造成位于所述安装单元上。所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状，并且所述安装单元包括排气孔以向所述基底支撑单元排放气体。因此，当基底支撑单元被返回时，可以不需要对基底支撑单元进行精确定位。此外，可以稳定地执行气相沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 具有 用于 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种基座，所述基座包括：主体，被构造成包括具有不平坦表面的安装单元；和基底支撑单元，被构造成位于所述安装单元上，其中，所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状，并且所述安装单元包括排气孔以向所述基底支撑单元排放气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
