[发明专利]基座及具有该基座的用于化学气相沉积的设备

说明书

本申请要求于2010年8月9日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0076367号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的内容通过引用包含于此。

技术领域

下面描述中的示例实施例涉及一种基座(susceptor)以及一种具有该基座的化学气相沉积(CVD)设备。

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电流转换成光的半导体器件。用于LED的制造工艺包括外延片(epiwafer)制造工艺、芯片制造工艺、封装工艺和模块化工艺。

外延片制造工艺通过使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备在基底上生长GaN基晶体来制造外延片。

通常，基底由安装到MOCVD设备的基座的附属盘(satellite disc)支撑。

当将基底与基座分开时，基底可以由机械手提起。然而，当机械手将基底直接提起时，基底会因突然的温度改变而被损坏。因此，通常将基底与附属盘一起传送。

然后，将附属盘与基底分开并将附属盘返回到基座。这里，在将附属盘返回到基座中，需要使附属盘位于基底的正确位置处。

发明内容

根据示例实施例，可以提供一种能够有效地定位被返回到基座的诸如附属盘的基底支撑单元的用于化学气相沉积(CVD)设备的基座。

根据示例实施例，还可以提供一种能够在不使用钉销的情况下定位被返回到基座的基底支撑单元的用于CVD设备的基座。

通过提供一种基座实现了前述和/或其他方面，所述基座包括：主体，被构造成包括具有不平坦表面的安装单元；和基底支撑单元，被构造成位于所述安装单元上，其中，所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状，并且所述安装单元包括排气孔以向所述基底支撑单元排放气体。

通过提供一种用于CVD的设备实现了前述和/或其他方面，所述用于CVD的设备包括：反应室，被构造为提供有反应气体；和基座，被构造为包括旋转地安装到所述反应室的主体和可移动地连接到所述主体的基底支撑单元，其中，所述主体设置有包括斜面的安装单元，并且所述基底支撑单元设置有与所述安装单元的斜面对应的斜面。

在下面的描述中将部分地阐述示例实施例的其他方面、特征和/或优点，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过本公开的实践而明了。

附图说明

通过结合附图进行的对示例实施例的以下描述，这些和/或其他方面和优点将变得明显和更易于理解，附图中：

图1示出了根据示例实施例的用于化学气相沉积(CVD)设备的基座的平面图；

图2示出了用于CVD设备的基座的剖视图；

图3示出了图2中示出的基底支撑单元被分离的基座的剖视图；

图4示出了基底支撑单元的底部透视图；

图5示出了根据其他示例实施例的用于CVD设备的基座的剖视图；

图6示出了图5中示出的基底支撑单元被分离的基座的剖视图；

图7示出了基底支撑单元的底部透视图。

具体实施方式

现在将详细地描述示例实施例，附图中示出了示例实施例的示例，其中，相同的标号始终代表相同的元件。下面通过参照附图来描述示例实施例以解释本公开。

图1示出了根据示例实施例的用于化学气相沉积(CVD)设备1的基座20的平面图。图2示出了用于CVD设备1的基座20的剖视图。图3示出了图2中示出的基底支撑单元22被分离的基座20的剖视图。图4示出了基底支撑单元22的底部透视图。

参照图1至图4，CVD设备1可以包括提供执行化学反应的空间的反应室10、安装至少一个基底(未示出)的基座20、加热基座20的热源30和传送基底支撑单元22的传送单元40。

反应室10包括允许基底支撑单元22通过的入口11、提供反应气体的反应气体提供单元12和出口13，出口13用于在反应气体与基底之间的化学反应之后排放残留的废气。

反应室10可以是提供预定尺寸的内部空间的圆柱形结构。此外，反应室10可以由高度耐磨和耐腐蚀的金属制成。可以将绝热材料提供到反应室10的内圆周，使反应室10抵抗高温。

反应气体提供单元12可以设置在反应室10的上端。反应气体提供单元12可以从反应室10的上端向下延伸。反应气体提供单元12的下端可以延伸至接近基座20的主体21的中心的位置。