[发明专利]基座及具有该基座的用于化学气相沉积的设备无效
申请号: | 201110230111.8 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN102373442A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 李元伸 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;王占杰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基座 具有 用于 化学 沉积 设备 | ||
1.一种基座,所述基座包括:
主体,被构造成包括具有不平坦表面的安装单元;和
基底支撑单元,被构造成位于所述安装单元上,
其中,所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状,并且所述安装单元包括排气孔以向所述基底支撑单元排放气体。
2.如权利要求1所述的基座,其中,所述安装单元包括圆锥形的凸起部分或圆锥形的凹进部分。
3.如权利要求2所述的基座,其中,所述安装单元包括斜面,并且所述排气孔形成在所述斜面上。
4.如权利要求1所述的基座,其中,所述基底支撑单元通过所述气体与所述主体分离。
5.如权利要求4所述的基座,其中,间隙形成在所述基底支撑单元和所述主体之间以允许所述气体的流动。
6.如权利要求1所述的基座,其中,所述气体从所述排气孔沿倾斜方向排放出,并且
所述基底支撑单元因所述气体的粘性而旋转。
7.如权利要求1所述的基座,其中,所述气体为氮气或氢气。
8.一种用于化学气相沉积的设备,所述设备包括:
反应室,被构造为提供有反应气体;和
基座,被构造为包括旋转地安装到所述反应室的主体和可移动地连接到所述主体的基底支撑单元,
其中,所述主体设置有包括斜面的安装单元,并且所述基底支撑单元设置有与所述安装单元的斜面对应的斜面。
9.如权利要求8所述的设备,所述设备还包括:
供气管,设置到所述主体以提供用于使所述基底支撑单元浮起的气体;
热源,将热提供至所述反应室;和
传送单元,传送所述基底支撑单元。
10.如权利要求8所述的设备,其中,所述安装单元包括凸起部分,并且所述基底支撑单元包括凹进部分。
11.如权利要求10所述的设备,其中,所述安装单元具有圆锥形形状。
12.如权利要求8所述的设备,其中,所述安装单元包括凹进部分,并且所述基底支撑单元包括凸起部分。
13.如权利要求12所述的设备,其中,所述凸起部分具有圆锥形形状。
14.如权利要求9所述的设备,其中,所述安装单元的斜面包括与所述供气管流体连通的排气孔。
15.如权利要求9所述的设备,其中,所述基底支撑单元通过所述气体与所述主体分离。
16.如权利要求8所述的设备,其中,所述基底由涂覆有碳化硅的碳组成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的