[发明专利]一种半导体通孔开设方法

摘要

本发明提供一种半导体通孔开设方法，通过先在衬底上形成一层图形硬掩膜层，在所述图形硬掩膜层上方沉积一层新的硬掩膜材料层，并对所述图形硬掩膜层的临界通孔形成保型覆盖，从而得到更小尺寸的通孔硬掩膜图形，再将得到的更小尺寸的通孔硬掩膜图形转移到半导体衬底上，从而得到更小内径的通孔。本发明一种半导体通孔开设方法通过对带有硬掩膜图形的图形硬掩膜层进行保型覆盖的部分填充，从而得到更小尺寸的通孔硬掩膜图形，再将图形转移到半导体衬底上，得到更小内径的通孔，从而满足更小的通孔刻蚀的需要，其工艺过程简单，而且大大降低了工艺制备的成本投入。

主权项

一种半导体通孔开设方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在所述半导体衬底上覆盖一层图形硬掩层，并通过光刻形成图形硬掩层中的图形开口；步骤二：在所述图形硬掩膜层上方再次沉积一层硬掩膜材料层，硬掩膜材料层同时覆盖于图形硬掩膜层中的开口的侧壁和底部，从而在所述硬掩膜材料层以及图形硬掩膜层中形成新的图形开口；步骤三：刻蚀除掉位于所述图形硬掩膜层的图形开口底部的硬掩膜材料层；并以步骤二中在所述硬掩膜材料层以及图形硬掩膜层中所形成的新的图形开口为掩膜，对衬底进行刻蚀，形成通孔； 步骤四：去除覆盖于所述图形硬掩膜层上方的所述的硬掩膜材料层部分。