[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法有效
申请号: | 201110220003.2 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102346371A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | Y·C·裴;D·王;T·卡多拉西亚;姜锡昊;R·贝尔 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/038;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/311 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: |
光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法。通过负性显影工艺提供了用于形成光刻图案中的光致抗蚀剂组合物。还提供了通过负性显影工艺形成光刻图案的方法和涂覆光致抗蚀剂组合物的基底。所述组合物、方法和涂覆基底在半导体设备的制造中有特别的应用。提供一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:酸敏感的第一聚合物;由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅,其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能;光致酸生成剂;和溶剂。 |
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搜索关键词: | 光致抗蚀剂 组合 以及 形成 光刻 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:酸敏感的第一聚合物;由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物:
其中P是可聚合的官能团;Z是选自任意取代的直链或支链脂肪族和芳香族烃及其组合的间隔单元,任选具有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和-CONR1-的连接基团,其中R1选自氢和取代及未取代C1到C10直链、支链和环状烃;n是从0到5的整数;以及R选自取代和未取代C1到C20直链、支链和状环烃;其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅,其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能;光致酸生成剂;和溶剂。
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