[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法有效

专利信息
申请号: 201110220003.2 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102346371A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: Y·C·裴;D·王;T·卡多拉西亚;姜锡昊;R·贝尔 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/038;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/311
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法。通过负性显影工艺提供了用于形成光刻图案中的光致抗蚀剂组合物。还提供了通过负性显影工艺形成光刻图案的方法和涂覆光致抗蚀剂组合物的基底。所述组合物、方法和涂覆基底在半导体设备的制造中有特别的应用。提供一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:酸敏感的第一聚合物;由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅,其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能;光致酸生成剂;和溶剂。
搜索关键词: 光致抗蚀剂 组合 以及 形成 光刻 图案 方法
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:酸敏感的第一聚合物;由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物:其中P是可聚合的官能团;Z是选自任意取代的直链或支链脂肪族和芳香族烃及其组合的间隔单元,任选具有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和-CONR1-的连接基团,其中R1选自氢和取代及未取代C1到C10直链、支链和环状烃;n是从0到5的整数;以及R选自取代和未取代C1到C20直链、支链和状环烃;其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅,其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能;光致酸生成剂;和溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限公司,未经罗门哈斯电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110220003.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top