[发明专利]石墨烯的图形化方法有效
申请号: | 201110218695.7 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN102263013A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 李铁;王文荣;王跃林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽,再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤:利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构;将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上;烘干衬底与石墨烯,利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂,得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置,并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理,避免了对石墨烯晶格质量造成损害,解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。 | ||
搜索关键词: | 石墨 图形 方法 | ||
【主权项】:
石墨烯的图形化方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在衬底上制作出沟槽形成所需图形;2)制备大面积石墨烯薄膜并转移到溶液中;3)将石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽图形的衬底上;4)烘干直至石墨烯薄膜在沟槽上断裂,从而得到所需要的图形化石墨烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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