[发明专利]半导体衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201110193390.5 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102231368A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;川俣郁子;荒井康行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜和氮化硅膜；在照射氢和稀有气体元素中的至少一种的离子之后，形成多个分离层和在所述多个分离层上的多个单晶半导体层，其中，所述多个分离层形成在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上；将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
