[发明专利]半导体衬底的制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜和氮化硅膜；

在照射氢和稀有气体元素中的至少一种的离子之后，形成多个分离层和在所述多个分离层上的多个单晶半导体层，其中，所述多个分离层形成在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上；

将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及

将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中在所述单晶半导体衬底上形成所述多个单晶半导体层之前形成所述分离层。

3.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜和氮化硅膜；

用氢和稀有气体元素中的至少一种照射所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上形成分离层，并且在所述分离层上形成单晶半导体膜；

选择性地蚀刻所述分离层及所述单晶半导体膜，以形成多个单晶半导体层；

将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及

将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。

4.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜及氮化硅膜；

选择性地蚀刻所述氧化硅膜及所述氮化硅膜，以形成氧化硅层和氮化硅层；

用氢和稀有气体元素中的至少一种照射所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上形成多个分离层，并且在所述多个分离层上形成多个单晶半导体层；

选择性地蚀刻所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底中形成槽；

将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及

将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。

5.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜及氮化硅膜；

用氢和稀有气体元素中的至少一种照射所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上形成分离层，并且在所述分离层上形成单晶半导体膜；

选择性地蚀刻所述氧化硅膜及所述氮化硅膜，以形成氧化硅层及氮化硅层；

将所述氮化硅层用作掩模，选择性地蚀刻所述分离层及所述单晶半导体膜，以形成多个单晶半导体层；

将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及

将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。

6.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜及氮化硅膜；

选择性地蚀刻所述氧化硅膜及所述氮化硅膜，以形成氧化硅层及氮化硅层；

将所述氮化硅层用作掩模，选择性地蚀刻所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底中形成槽；

用氢和稀有气体元素中的至少一种照射所述单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上形成分离层，并且在所述分离层上形成多个单晶半导体层；

将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及

将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中所述多个单晶半导体层具有多种尺寸。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中所述多个单晶半导体层从多个所述单晶半导体衬底分离。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中使用所述多个单晶半导体层形成多个半导体元件。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中使用所述多个单晶半导体层形成多个晶体管及多个存储元件。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中通过加热处理进行所述分离步骤。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中所述半导体衬底用于选自芯片、可移动存储器、影像拍摄装置、电话机、数码播放器、以及电子书中的一种。