[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110186952.3 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102646629A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 秦纬;董云;彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;迟姗 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺，形成栅线图形和公共电极线图形；进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形，并根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试；进行第三次构图工艺，形成数据层图形，并根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试；本发明还提供一种阵列基板。根据本发明的技术方案，能够测试出像素内部的有源层图形的偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺，形成栅线图形和公共电极线图形；进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形，并根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试；进行第三次构图工艺，形成数据层图形，并根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110186952.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
