[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺，形成栅线图形和公共电极线图形；

进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形，并根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试；

进行第三次构图工艺，形成数据层图形，并根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

进行第四次构图工艺，形成过孔图形；

进行第五次构图工艺，形成像素电极图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺为：

在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，并在所述栅金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，对所述光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的栅金属层薄膜，并在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形为：

连续沉积栅极绝缘层薄膜、非晶硅薄膜和n型硅薄膜，并在沉积的三层薄膜上涂覆一层光刻胶，并利用具有标记图案的掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的栅极绝缘层薄膜、非晶硅薄膜和n型硅薄膜，并在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试为：

测试仪器对错位标记与栅线图形的之间的距离进行自动测试，对得到的数据进行分析，并根据分析结果判断有源层图形是否偏移，当存在偏移时，进行曝光设备光路调整修正。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述进行第三次构图工艺，形成数据层图形为：

沉积一层数据金属层薄膜，在所述数据金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，对涂覆的光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的数据金属层薄膜，在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试为：

测试仪器对错位标记与数据层图形之间的距离进行自动测试，对得到的数据进行分析，并根据分析结果判断有源层图形是否偏移，当存在偏移时，进行曝光设备光路调整修正。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述错位标记位于栅线图形的上层或数据层图形的下层。

9.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：在第一次构图工艺中形成的栅线图形和公共电极线图形，在第二次构图工艺中形成的错位标记和有源层图形，在第三次构图工艺中形成的数据层图形，在第四次构图工艺中形成的过孔图形，和在第五次构图工艺中形成的像素电极图形。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述错位标记位于栅线图形的上层或数据层图形的下层。