[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Disp)领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，TFT-LCD的阵列基板的制作方法主要包括应用于TN模式时的四次或五次光刻工艺，应用于广视角模式时的五次或六次光刻工艺；其中，有源层与数据层不是在同一次光刻工艺中形成的，由于曝光设备光路的扭曲很容易导致显示区域内图层的局部位置偏移，图1是有源层图形与数据层图形的位置相对偏移的示意图，图2是有源层图形与数据层图形的正常位置示意图，如图1和图2所示，这种偏移将会导致TFT-LCD的特性出现异常，从而引起显示器的亮度不均匀(mura)。

由于阵列基板的测试(Array Test)是加载直流信号进行测试的，因而无法检测出这种偏移导致的特性异常。现有技术中，避免此问题的方法是在每一次光刻工艺后，在显示区外围进行自动测试，图3是现有技术中显示区外围的偏移测试的示意图，如图3所示，通过关键尺寸测试设备，测试出中间的各层图形(如数据线图形31)与周围一圈栅金属层图形32的相对位置，从而测试出有源层图形33是否发生相对偏移，但是，目前由于曝光设备光路的扭曲导致的像素内部的有源层图形的偏移，仍然无法测试出。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，能够测试出像素内部的有源层图形的偏移。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺，形成栅线图形和公共电极线图形；

进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形，并根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试；

进行第三次构图工艺，形成数据层图形，并根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试。

上述方法中，该方法还包括：

进行第四次构图工艺，形成过孔图形；

进行第五次构图工艺，形成像素电极图形。

上述方法中，所述在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，进行第一次构图工艺为：

在衬底基板上沉积一层栅金属层薄膜，并在所述栅金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，对所述光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的栅金属层薄膜，并在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

上述方法中，所述进行第二次构图工艺，形成错位标记和有源层图形为：

连续沉积栅极绝缘层薄膜、非晶硅薄膜和n型硅薄膜，并在沉积的三层薄膜上涂覆一层光刻胶，并利用具有标记图案的掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的栅极绝缘层薄膜、非晶硅薄膜和n型硅薄膜，并在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

上述方法中，所述根据错位标记进行有源层图形是否偏移的测试为：

测试仪器对错位标记与栅线图形的之间的距离进行自动测试，对得到的数据进行分析，并根据分析结果判断有源层图形是否偏移，当存在偏移时，进行曝光设备光路调整修正。

上述方法中，所述进行第三次构图工艺，形成数据层图形为：

沉积一层数据金属层薄膜，在所述数据金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，对涂覆的光刻胶进行曝光处理和显影处理；去除无光刻胶区域的数据金属层薄膜，在刻蚀处理后将光刻胶剥离。

上述方法中，所述根据错位标记再次进行有源层图形是否偏移的测试为：

测试仪器对错位标记与数据层图形之间的距离进行自动测试，对得到的数据进行分析，并根据分析结果判断有源层图形是否偏移，当存在偏移时，进行曝光设备光路调整修正。

上述方法中，所述错位标记位于栅线图形的上层或数据层图形的下层。

本发明还提供一种阵列基板，包括：在第一次构图工艺中形成的栅线图形和公共电极线图形，在第二次构图工艺中形成的错位标记和有源层图形，在第三次构图工艺中形成的数据层图形，在第四次构图工艺中形成的过孔图形，和在第五次构图工艺中形成的像素电极图形。

上述阵列基板中，所述错位标记位于栅线图形的上层或数据层图形的下层。