[发明专利]薄膜晶体管元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110184767.0 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102222700A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 徐伟伦;高嘉骏;翁守朋 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一薄膜晶体管元件包括一第一导电类型晶体管与一第二导电类型晶体管。第一导电类型晶体管包括一第一图案化掺杂层、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及一第一半导体图案。第二导电类型晶体管包括一第二图案化掺杂层、一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及一第二半导体图案。第一半导体图案与第二半导体图案构成一图案化半导体层。第一图案化掺杂层设置于第一半导体图案之下，且第二图案化掺杂层设置于第二半导体图案之上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管元件，设置于一基板上，该薄膜晶体管元件包括：一第一导电类型晶体管，包括一第一图案化掺杂层、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及一第一半导体图案，其中该第一源极以及该第一漏极是与该第一图案化掺杂层电性连结；以及一第二导电类型晶体管，包括一第二图案化掺杂层、一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及一第二半导体图案，其中该第二源极以及该第二漏极是与该第二图案化掺杂层电性连结；其中该第一半导体图案以及该第二半导体图案构成一图案化半导体层，该第一图案化掺杂层是设置于该第一半导体图案之下，且该第二图案化掺杂层是设置于该第二半导体图案之上。
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