[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201110183357.4 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102314925A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘炳晟;朴镇寿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括单元串，所述单元串的每个包括多个存储器单元；位线，所述位线与各个单元串耦接；以及页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在感测操作中将参考电流与各个位线的电流进行比较，并基于比较的结果输出与选中的存储器单元的阈值电压电平相对应的感测数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括单元串，所述单元串的每个包括多个存储器单元；位线，所述位线与各个单元串耦接；以及页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在感测操作中将参考电流与各个位线的电流进行比较，并基于比较的结果而输出与选中的存储器单元的阈值电压电平相对应的感测数据。
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