[发明专利]存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110168485.1 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102468268A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 庄英政;徐秉诚;杨胜威;张明成;蔡鸿明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接该两线性段。本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包含：一台地状结构，具有两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区；以及一字元线，包含两线性段及至少一互连部，其中各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区，且该互连部穿过该台地状结构并连接两线性段。
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