[发明专利]存储装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储装置，特别涉及一种具有沟槽单元结构的存储装置及其制造方法。

背景技术

由于其构造简单，动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)在单位芯片面积上可比其他种类的存储器，例如：静态随机存取存储器等，提供更多的存储容量。一动态随机存取存储器包含多个动态随机存取存储器单元，各动态随机存取存储器单元包含储存数据的一电容及一晶体管，其中该晶体管耦接该电容，以控制其充、放电。在读取操作期间，一字元线致动以导通该晶体管。该导通的晶体管使得该电容两端的电压可由一感测放大器通过一位元线被读取。在写入操作期间，当字元线致动时，将被写入的数据提供在该位元线。

为了满足较佳存储器储存的需求，动态随机存取存储器的存储器单元需要缩减尺寸。动态随机存取存储器的存储器单元的尺寸可以几种方式缩减。一种方法是通过工艺技术的进步缩减一动态随机存取存储器的存储器单元的最小特征尺寸。其他缩减一动态随机存取存储器的存储器单元的尺寸的方法是设计一具有较小特征尺寸的存储器单元。举例而言，现今市场上许多动态随机存取存储器芯片具有一尺寸为6F²的存储器单元，其中F代表最小光刻特征宽度。

然而，存储器单元尺寸降低造成某些影响。容易产生存储器单元间或字元线间的干扰，及由于字元线的截面积减少，造成字元线的电阻增加。

公知动态随机存储器单元包括一阵列，其具有多个存取晶体管。一字元线作为一栅极，由该阵列的一侧延伸至一相对侧，使得各晶体管可作为一双栅极晶体管。由于字元线的电阻，该字元线的电压沿着该字元线逐渐降低。因此，在该阵列相对侧的二相对位置具有明显的电压降，造成相对的存取晶体管操作上的问题。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供一种存储装置及其制造方法。

本发明提供的一种存储装置，包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接两线性段。

本发明另提供一种存储装置的制造方法，包含下列步骤：填充一第一绝缘材料于多个深沟槽与多个浅沟槽，以分别形成多个深隔离物和形成多个浅隔离物，其中各该浅沟槽形成于两相邻的所述多个深沟槽之间；形成多个凹沟，相对于该深隔离物为横向，其中两相邻的所述多个凹沟界定出一台地状结构，且该凹沟宽于该台地状结构；填充一第二绝缘材料于该凹沟；移除所述多个深沟槽与所述多个浅沟槽内的部分该第一绝缘材料，及所述多个凹沟内的部分该第二绝缘材料；形成一导电层于所述多个浅沟槽、所述多个深沟槽与所述多个凹沟内；以及移除该凹沟内的部分的该导电层，以形成两字元线。

本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。

上文已相当广泛地概述本发明的技术特征，以使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的权利要求标的的其它技术特征将描述于下文。本发明所属技术领域中普通技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中普通技术人员也应了解，这类等效建构无法脱离所附的权利要求所界定的本发明的精神和范围。

附图说明

图1为例示依据本发明一实施例的存储装置的立体示意图；以及

图2至图19为例示依据本发明一实施例形成一存储装置的工艺步骤的剖面示意图。

上述附图中的附图标记说明如下：

1 存储装置

11 台地状结构

12 字元线

13 隔离结构

14 电容

15 凹沟

16 隔离物

17 位元线

30 基材

31 氧化层

32 氮化层

33 多晶硅层

34 硅酸四乙酯层

35 光致抗蚀剂层

36、37 侧壁间隔物

38 深沟槽

39 浅沟槽

40 深隔离物

41 浅隔离物

42 氮化硅层