[发明专利]一种提高电容密度的结构及方法无效
| 申请号： | 201110163845.9 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102420209A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及一种提高电容密度的结构及方法。本发明提高电容密度的结构及其制造方法，在传统工艺的金属－绝缘层－金属(MIM)结构的电容基础上，通过继续增加绝缘层和金属层以增加电容密度，即采用电容的叠加，以形成并联的两个电容，从而大大增加了电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电容 密度 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电容密度的结构，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底上设置有衬底金属铜和下绝缘层；一下金属层设置在所述下绝缘层上，一中绝缘层设置在所述下金属层上，一中金属层设置在所述中绝缘层上，一上绝缘层设置在所述中金属层上，一上金属层设置在所述上绝缘层上；基底端子、第一端子、第二端子和第三端子分别通过互连线依次与基底金属铜、所述下金属层、所述中金属层和所述上金属层连接，基底端子和第三端子连接，第一端子和第二端子连接，形成并联电容。
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