[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110144333.8 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102201450A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄如;邱颖鑫;詹瞻;黄芊芊;毛翔 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连接，构成叉指栅；第三绝缘层；在第三绝缘层中形成第一源区和第二源区上的电极，漏区上的漏电极D和叉指栅上的栅电极G；源电极S。本发明提出的隧穿场效应器件的工作电流在亚阈区时是隧穿电流，在线性区时为MOS场效应管的电流，驱动电流得到很大的提高。同时，制造工艺与传统工艺兼容；由于采用叉指结构实现，同时第一源区起到了衬底引出的作用，节约了面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：1)具有第一种掺杂类型的半导体衬底(210)；2)在半导体衬底上形成的与第一栅叠层区对应的第一沟道区(208)和与第二栅叠层区对应的第二沟道区(209)；3)在第一沟道区(208)上形成的覆盖整个沟道区的第一栅叠层区，所述第一栅叠层区至少包含第一绝缘层(204)和一个导电层(206)；4)在第二沟道区(209)上形成的覆盖整个沟道区的第二栅叠层区，所述第二栅叠层区至少包含第二绝缘层(205)和第二导电层(207)；5)在半导体衬底上，在第一沟道区(208)的非漏区的一侧形成的具有第一种掺杂类型且为重掺杂的第一源区(201)；6)在半导体衬底上，在第一沟道区(208)和第二沟道区(209)之间形成的具有第二种掺杂类型的漏区(202)；7)在第二沟道区(209)的非漏区的一侧形成的具有第二种掺杂类型的第二源区(203)；8)第一栅叠层区中的导电层(206)和第二栅叠层区中的第二导电层(207)在沟道区外相连接，构成叉指栅；9)覆盖在第一源区(201)、第二源区(203)、漏区(202)、第一栅叠层区和第二栅叠层区上的第三绝缘层；10)在第三绝缘层中形成第一源区(201)和第二源区(203)上的电极，漏区(202)上的漏电极D和叉指栅上的栅电极G；11)用电极互连层互连的第一源区(201)和第二源区(203)的电极形成最终的源电极S。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110144333.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型的晶体硅太阳能电池及其制备方法
- 下一篇：强化散热的模组化半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
