[发明专利]一种存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110143077.0 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810541A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/51;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器及其制造方法。该存储器的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和栅电极层，所述隧穿层位于所述沟道区上，所述电荷俘获层位于所述隧穿层上，所述阻挡层位于所述电荷俘获层上，所述栅电极层位于所述阻挡层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，其中，第二电荷俘获层位于第一电荷俘获层的上面和下面中的至少一处。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和栅电极层，所述隧穿层位于所述沟道区上，所述电荷俘获层位于所述隧穿层上，所述阻挡层位于所述电荷俘获层上，所述栅电极层位于所述阻挡层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；其中，所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，所述第二电荷俘获层位于所述第一电荷俘获层的上面和下面中的至少一处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
