[发明专利]一种半导体存储器结构及其控制方法无效
| 申请号： | 201110119859.0 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102185108A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域,具体为一种半导体存储器结构及其控制方法。本发明的半导体存储器结构包括一个用于存储信息的存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管。隧穿场效应晶体管用来进行对所述的半导体存储器控制，比如擦写操作和读操作。由多个所述的半导体存储器结构组成一个半导体存储器阵列。本发明的控制方法包括复位、置位、读取步骤。隧穿场效应晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行写入的大电流要求，而且可以提高存储器件阵列的密度，也适于半导体存储器芯片的制造，而且，其控制方法及控制电路也较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 结构 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器结构，其特征在于：包括一个电阻可变的存储单元和一个用于对半导体存储器进行操作的隧穿场效应晶体管结构；其中，所述的隧穿场效应晶体管包括一个源极、一个漏极、一个低掺杂沟道区和一个栅极；所述隧穿场效应晶体管的栅极与多条字线中的任意一条相连接，其源极与多条源线中的任意一条相连接，其可变电阻的两端分别连至位线和所述隧穿场效应晶体管的漏极。
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