[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110092406.3 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102456722A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡永智;林汉仲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区具有相反导电类型的掺质。一第一栅极，形成于上述基板上方，上述第一栅极部分重叠于上述第一掺杂区的一部分和上述第二掺杂区的一部分。一第二栅极，形成于上述基板上方，上述第二栅极部分重叠于上述第二掺杂区的一不同部分。上述半导体装置包括一第一电压源，对上述第二栅极提供一第一电压。一第二电压源，对上述第二掺杂区提供一第二电压，其中上述第一电压和上述第二电压彼此不同。本发明实施例可利用不同的施加偏压组合而具有弹性以适用于不同的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，该第一掺杂区和该第二掺杂区具有相反导电类型的掺质；一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分和该第二掺杂区的一部分；一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分；一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压；以及一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中该第一电压和该第二电压彼此不同。
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