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[发明专利]热分流式微波功率放大器-CN201410363795.2有效
发明人：高怀;孙晓红;王锋 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种热分流式微波功率放大器，包括若干并联设置的功率单元，每个功率单元包括若干晶体管，晶体管包括基极、集电极、及发射极，每个功率单元内晶体管的集电极和发射极均通过第一层金属和第二层金属互联，相邻的功率单元中晶体管的集电极通过第一金属互联电性连接，相邻的功率单元中晶体管的发射极通过第二金属互联电性连接，第一金属互联从下向上包括第一层金属、绝缘介质层、及第二层金属，第二金属互联为第一层金属，第一层金属分别与降热装置相连通。本发明将热源最短路径进行散热，引入集电极金属提供到地散热路径，通过增加此条散热路径，降低改善功率单元的温度，从而得到高效率、高线性度的放大器。
分流式微功率放大器

[实用新型]一种改善功率放大器自加热效应的电路-CN201320299857.9有效
发明人：高怀;孙晓红;田婷;陈涛 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。输入信号功率较小时，仅镇流电阻小的HBT导通；输入信号功率增大时，其它HBT逐渐导通；在不影响功率输出的前提下从根本上解决热效应的问题。
一种改善功率放大器加热效应电路

[实用新型]一种功率放大器-CN201320318733.0有效
发明人：高怀;陈涛;张晓东;孙晓红;田婷 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率放大器，包括输入匹配电路、输出匹配电路及功率放大单元，功率放大单元包括N个晶体管，N个晶体管依次串联，N为大于1的整数；第一晶体管的第三端连接至输入匹配电路，第一晶体管的第二端接地；第二晶体管至第N晶体管的第二端与位于前一放大级的晶体管的第一端连接，第二晶体管至第N晶体管的第三端通过电感连接至相应的电源，同时第二晶体管至第N晶体管的第三端通过串联的电容和电阻接地；输出匹配电路与第N晶体管的第一端连接。本实用新型公开的功率放大器占用的版图面积较小，可以降低版图设计难度，另外可以避免产生由电感引起的欧姆损耗，从而进一步提高输出功率。
一种功率放大器

[实用新型]一种提高功率放大器功率附加效率的电路-CN201320299104.8有效
发明人：高怀;孙晓红;田婷;陈涛 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高功率放大器功率附加效率的电路，包括：功率单元和偏置模块；功率单元中的晶体管的基极均连接输入信号；功率单元中的晶体管集电极均连接信号输出端；晶体管发射极均通过镇流电阻后连接在一起；晶体管的发射极连接的镇流电阻的阻值从外向内对称依次增大；每个晶体管的基极连接偏置模块；偏置模块为所述功率单元中的晶体管提供偏置电流，使得功率单元中晶体管的基极电流由外向内依次减小。电流偏置状态的不同，晶体管工作在不同的状态，相同功率输出状态下，直流功耗降低，提高功放的功率附加效率，采用由外向内逐渐减小的镇流电阻，改善功率单元中间热积累效应，进一步提高功率附加效率，改善线性。
一种提高功率放大器功率附加效率电路

[发明专利]一种提高功率放大器功率附加效率的电路-CN201310204471.X无效
发明人：高怀;孙晓红;田婷;陈涛 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高功率放大器功率附加效率的电路，包括：功率单元和偏置模块；功率单元中的晶体管的基极均连接输入信号；功率单元中的晶体管集电极均连接信号输出端；晶体管发射极均通过镇流电阻后连接在一起；晶体管的发射极连接的镇流电阻的阻值从外向内对称依次增大；每个晶体管的基极连接偏置模块；偏置模块为所述功率单元中的晶体管提供偏置电流，使得功率单元中晶体管的基极电流由外向内依次减小。电流偏置状态的不同，晶体管工作在不同的状态，相同功率输出状态下，直流功耗降低，提高功放的功率附加效率，采用由外向内逐渐减小的镇流电阻，改善功率单元中间热积累效应，进一步提高功率附加效率，改善线性。
一种提高功率放大器功率附加效率电路

[发明专利]一种改善功率放大器自加热效应的电路-CN201310204582.0无效
发明人：高怀;孙晓红;田婷;陈涛 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。输入信号功率较小时，仅镇流电阻小的HBT导通；输入信号功率增大时，其它HBT逐渐导通；在不影响功率输出的前提下从根本上解决热效应的问题。
一种改善功率放大器加热效应电路

[发明专利]一种功率放大器-CN201310218971.9有效
发明人：高怀;陈涛;张晓东;孙晓红;田婷 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率放大器，包括输入匹配电路、输出匹配电路及功率放大单元，功率放大单元包括N个晶体管，N个晶体管依次串联，N为大于1的整数；第一晶体管的第三端连接至输入匹配电路，第一晶体管的第二端接地；第二晶体管至第N晶体管的第二端与位于前一放大级的晶体管的第一端连接，第二晶体管至第N晶体管的第三端通过电感连接至相应的电源，同时第二晶体管至第N晶体管的第三端通过串联的电容和电阻接地；输出匹配电路与第N晶体管的第一端连接。本发明公开的功率放大器占用的版图面积较小，可以降低版图设计难度，另外可以避免产生由电感引起的欧姆损耗，从而进一步提高输出功率。
一种功率放大器

[发明专利]一种射频识别系统-CN201110069477.1无效
发明人：高怀;李昕;郭瑜;张晓东;钱罕杰;卞新海 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFID系统，该系统中的本振模块为小数分频频率合成器。所述的小数分频频率合成器为基于∑-Δ调制技术的小数分频频率合成器。本发明实施例公开的RFID系统，采用小数分频频率合成器作为本振模块，利用小数分频频率合成器的原理，将小数分频所需的小数部分F加到∑-Δ调制器的输入端，由调制器产生脉冲去控制频率合成器的分频比，从而实现小数分频的目的，并由∑-Δ调制器进行多模补偿，改善由分频比的周期性变换而引起的锯齿性相位扰动，有效地抑制杂散信号，改善了现有RFID系统中的相位噪声影响大的问题。
一种射频识别系统

[发明专利]射频功率放大器功率检测装置-CN201110050067.2无效
发明人：高怀;薛川;张晓东;陈良月;王京 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频功率放大器功率检测装置，包括：隔直单元；输入端与所述隔直单元的输出端相连接的功率放大单元；输入端与所述功率放大单元的输出端相连接的整流滤波单元；与所述整流滤波单元的输出端相连接的负载，同时该端作为检测输出端，所述负载的另一端接地端。功率放大单元，能够将所述功率检测装置的输入端接收到的信号功率放大预设倍数，提高了所述功率检测装置射频信号的功率大小，减小了整流二极管的开启电压的限制，增大了功率检测范围。
射频功率放大器功率检测装置

[发明专利]射频横向扩散P型MOS管及其制造方法-CN201110007988.0有效
发明人：高怀;陈文兰;田婷;孙晓红;王晓彧 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种射频横向扩散P型MOS管及其制造方法，所述射频横向扩散P型MOS管包括：衬底和外延层；所述外延层内形成有漂移区和分别与所述漂移区两侧连接的漏区和沟道；所述漂移区的表面外形成有覆盖所述漂移区的场氧化层；所述漂移区内的上部形成有沟槽隔离氧化层区，所述沟槽隔离氧化层区与所述场氧化层相连接。该射频横向扩散P型MOS管中通过在漂移区中设置的绝缘的沟槽隔离氧化层区，可以使漂移区的有效长度增加沟槽隔离氧化层区厚度的两倍左右，因此可以有效的提高射频横向扩散P型MOS管的击穿电压，使其具有较高的工作寿命和较大的应用范围。
射频横向扩散 mos 及其制造方法

[实用新型]一种射频识别系统-CN201120076796.0有效
发明人：高怀;李昕;郭瑜;张晓东;钱罕杰;卞新海 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种RFID系统，该系统中的本振模块为小数分频频率合成器。所述的小数分频频率合成器为基于∑-Δ调制技术的小数分频频率合成器。本实用新型实施例公开的RFID系统，采用小数分频频率合成器作为本振模块，利用小数分频频率合成器的原理，将小数分频所需的小数部分F加到∑-Δ调制器的输入端，由调制器产生脉冲去控制频率合成器的分频比，从而实现小数分频的目的，并由∑-Δ调制器进行多模补偿，改善由分频比的周期性变换而引起的锯齿性相位扰动，有效地抑制杂散信号，改善了现有RFID系统中的相位噪声影响大的问题。
一种射频识别系统

[实用新型]一种WiFi通信系统-CN201120094126.1有效
发明人：高怀;陈涛;田婷;陈文兰;孙晓红 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H04B1/715 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种WiFi通信系统，包括：与WiFi芯片相连的WiFi信号发射机，用于对WiFi芯片输出的WiFi信号进行降频跳频处理并将其发射出去；与WiFi芯片相连的WiFi信号接收机，用于接收所述降频跳频后的WiFi信号，将所述降频跳频后的WiFi信号还原成所述初始信号。采用本实用新型所述的系统，能够增加WiFi信号的传输范围，抗干扰，并且提高WiFi通信的安全性。
一种 wifi 通信系统

[实用新型]射频功率放大器功率检测装置-CN201120052785.9有效
发明人：高怀;薛川;张晓东;陈良月;王京 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01R21/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频功率放大器功率检测装置，包括：隔直单元；输入端与所述隔直单元的输出端相连接的功率放大单元；输入端与所述功率放大单元的输出端相连接的整流滤波单元；与所述整流滤波单元的输出端相连接的负载，同时该端作为检测输出端，所述负载的另一端接地端。功率放大单元，能够将所述功率检测装置的输入端接收到的信号功率放大预设倍数，提高了所述功率检测装置射频信号的功率大小，减小了整流二极管的开启电压的限制，增大了功率检测范围。
射频功率放大器功率检测装置

[发明专利]一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法-CN201110004194.9有效
发明人：高怀;陈文兰;田婷;孙晓红;王晓彧 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法，在N型漂移区上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，阶梯浅沟槽隔离氧化层包括位于N型漂移区之上的第二浅沟槽隔离氧化层和位于第二浅沟槽隔离氧化层之上的第一浅沟槽隔离氧化层；在阶梯浅沟槽隔离氧化层的表面包覆有第二场氧化层，在第一场氧化层的表面包覆有金属场极板，金属场极板将第一场氧化层和第二场氧化层分隔。本发明提供了一种结构简单且与现有射频横向双扩散金属氧化物半导体工艺相兼容的漂移区具有阶梯浅沟槽隔离结构的射频横向扩散N型金属氧化物半导体管及其制造方法，在相同的结构尺寸下，提升半导体管的击穿电压，而导通电阻保持不变。
一种射频横向扩散 mos 及其制造方法

[发明专利]一种大动态范围自动增益调节电路-CN201110004195.3无效
发明人：高怀;武文娟;郭瑜;胡善文;庄建东 -专利权人： 苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种大动态范围自动增益调节电路，包括可变增益放大器、功率检波电路和运算放大电路；功率检波电路的输入端连接可变增益放大器的输出端，功率检波电路检测可变增益放大器输出的功率电平，并输出与所检测信号功率相对应的电压信号；功率检波电路的输出端连接运算放大电路的输入端，运算放大电路对功率检波电路输出的电压信号进行放大；运算放大电路的输出端连接可变增益放大器的控制端。
一种动态范围自动增益调节电路

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