[发明专利]半导体PN交叠结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110086651.3 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738208A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;黄建豪;林盈秀 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体PN交叠结构及其制造方法，该方法包含：提供一基板；提供一第一光罩，以在该基板上定义一P型(或N型)阱区及一交叠区；将P型(或N型)杂质植入该P型(或N型)及该交叠区；提供一第二光罩，具有至少一开口，用以在该基板上定义一N型(或P型)阱区，以及用以在该交叠区中定义至少一双重植入区；于该N型(或P型)阱区中及该至少一双重植入区中植入N型(或P型)杂质，使得该至少一双重植入区具有N型及P型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 pn 交叠 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体PN交叠结构，其特征在于，包含：一基板；一P型阱区，位于该基板中；一N型阱区，位于该基板中；以及一交叠区，介于该P型阱区与该N型阱区之间，该交叠区包括：至少一双重植入区，具有P型杂质及N型杂质；及至少一单植入区，具有P型杂质或N型杂质。
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