[发明专利]三维半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。

主权项

一种三维半导体装置，包括：电极结构，包括在基底上的堆叠的多个电极；多个半导体图案，穿透电极结构；多个存储元件，在半导体图案和电极结构之间，存储元件包括沿第一方向延伸以与所述多个电极交叉的第一图案和沿与第一方向正交的第二方向延伸以与所述多个半导体图案交叉的第二图案。