[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110072003.2 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102201444A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 小畠万司;末代知子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置具备：第2导电型的基底区域，设有第1导电型的源极区域；第1导电型的漂移区域，邻接于上述基底区域；绝缘体层，从上述漂移区域的表面到内部地进行设置；第1导电型的漏极区域，对置于上述源极区域，夹着上述基底区域及上述绝缘体层而设在上述漂移区域的表面；栅极氧化膜，设在上述基底区域的表面；栅极电极，设在上述栅极氧化膜上；第1主电极，与上述源极区域连接；以及第2主电极，与上述漏极区域连接。上述源极区域和上述漏极区域从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，至少以线状大致平行地延伸，由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的部分的上述漂移区域的长度为，与相对于上述大致平行延伸的方向大致垂直的方向的长度相比，上述大致平行延伸的方向的长度较短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第2导电型的基底区域，设有第1导电型的源极区域；第1导电型的漂移区域，邻接于上述基底区域；绝缘体层，从上述漂移区域的表面到内部地进行设置；第1导电型的漏极区域，对置于上述源极区域，夹着上述基底区域及上述绝缘体层而设在上述漂移区域的表面；栅极氧化膜，设在上述基底区域的表面；栅极电极，设在上述栅极氧化膜上；第1主电极，与上述源极区域连接；以及第2主电极，与上述漏极区域连接，从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，上述基底区域的周围被上述漂移区域及上述绝缘体层包围；上述漏极区域的至少一部分和上述源极区域以线状地大致平行延伸；由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的部分的上述漂移区域的长度为，与相对于上述大致平行延伸的方向大致垂直的方向的长度相比，上述大致平行延伸的方向的长度较短；上述大致平行延伸的方向上的、由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的上述漂移区域的长度是1.8微米以下。
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