[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

第2导电型的基底区域，设有第1导电型的源极区域；

第1导电型的漂移区域，邻接于上述基底区域；

绝缘体层，从上述漂移区域的表面到内部地进行设置；

第1导电型的漏极区域，对置于上述源极区域，夹着上述基底区域及上述绝缘体层而设在上述漂移区域的表面；

栅极氧化膜，设在上述基底区域的表面；

栅极电极，设在上述栅极氧化膜上；

第1主电极，与上述源极区域连接；以及

第2主电极，与上述漏极区域连接，

从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，

上述基底区域的周围被上述漂移区域及上述绝缘体层包围；

上述漏极区域的至少一部分和上述源极区域以线状地大致平行延伸；

由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的部分的上述漂移区域的长度为，与相对于上述大致平行延伸的方向大致垂直的方向的长度相比，上述大致平行延伸的方向的长度较短；

上述大致平行延伸的方向上的、由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的上述漂移区域的长度是1.8微米以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，上述源极区域和上述漏极区域至少以线状大致平行地延伸，并且交替地反复配置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述基底区域的表面，设有第2导电型的背栅极区域。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述背栅极区域与上述第1主电极连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极电极设置为，从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察而包围上述源极区域。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体层的底面位于比上述漏极区域的底面靠下方的位置。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体层的侧面及底面被上述漂移区域及上述漏极区域包围。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体层设置为，从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察而包围上述源极区域。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极电极设置在上述源极区域与上述绝缘体层之间的上述基底区域、上述基底区域与上述绝缘体层之间的上述漂移区域、以及上述绝缘体层的一部分上。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从上述源极区域朝向上述绝缘体层的方向上的上述栅极电极的长度是10μm以下。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述基底区域及上述漂移区域的下方还设有第1导电型的半导体层。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述基底区域及上述漂移区域的下方还设有第2导电型的半导体层。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，上述基底区域的周围还被上述漏极区域包围。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

在相对于上述大致平行延伸的方向为上述大致垂直的方向上，对置于上述源极区域、夹着上述基底区域及上述绝缘体层而在上述漂移区域的表面设有上述漏极区域。

15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体层的底面位于比上述漏极区域的底面靠下方的位置。

16.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体层的侧面及底面被上述漂移区域及上述漏极区域包围。