[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110066867.3 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102412273A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 小野升太郎;斋藤涉;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，具有：第一主电极，与第一导电型的第一半导体区域及在上述第一半导体区域的表面选择性地设置的第二导电型的第二半导体区域电连接；控制电极，与上述第一半导体区域之间隔着第一绝缘膜地设置；以及引出电极，与上述控制电极电连接。还具有：第二绝缘膜，设在上述第一主电极及上述引出电极的上方；以及多个接触电极，设置在形成于上述第二绝缘膜的多个第一接触孔的内部，与上述引出电极电连接。通过上述第二绝缘膜与上述第一主电极电绝缘的控制端子，覆盖上述引出电极、以及上述第一主电极中的设置在上述第一半导体区域上方、上述第二半导体区域上方、上述控制电极上方的部分，与上述多个接触电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备：第一主电极，与第一导电型的第一半导体区域及在上述第一半导体区域的表面选择性地设置的第二导电型的第二半导体区域电连接；控制电极，与上述第一半导体区域之间隔着第一绝缘膜地设置；引出电极，与上述控制电极电连接；第二绝缘膜，设置在上述第一主电极及上述引出电极的上方；多个接触电极，设置在形成于上述第二绝缘膜的多个第一接触孔的内部，与上述引出电极电连接；以及控制端子，覆盖上述引出电极、以及上述第一主电极中的设置在上述第一半导体区域的上方、上述第二半导体区域的上方和上述控制电极的上方的部分，与上述多个接触电极电连接，通过上述第二绝缘膜与上述第一主电极电绝缘。
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