[发明专利]集成电路芯片有效
| 申请号： | 201110060964.1 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163593A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 柯庆忠;郑道;刘典岳;周达玺;高鹏程 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路芯片，包括：半导体基板，其上具有多层金属层间绝缘层及分别嵌于多层金属层间绝缘层之间的多层铜金属层；第一保护层，覆盖于多层金属层间绝缘层及多层铜金属层之上；第一电源/地网状内连接网络，形成于多层铜金属层的最上层中，其中第一电源/地网状内连接网络属于集成电路芯片的一个电路区块；第二电源/地网状内连接网络，形成于第一保护层上的铝金属层中，且第二电源/地网状内连接网络同属于集成电路芯片的上述电路区块；以及第二保护层，覆盖第二电源/地网状内连接网络及第一保护层。上述集成电路芯片可以降低集成电路芯片器件的电压降并且提高芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片，包括：半导体基板，其上具有多层金属层间绝缘层及分别嵌于该多层金属层间绝缘层之间的多层铜金属层；第一保护层，覆盖于该多层金属层间绝缘层及该多层铜金属层之上；第一电源/地网状内连接网络，形成于该多层铜金属层的最上层中，其中该第一电源/地网状内连接网络属于该集成电路芯片的一个电路区块；第二电源/地网状内连接网络，形成于该第一保护层之上的铝金属层中，且该第二电源/地网状内连接网络同属于该集成电路芯片的该电路区块；以及第二保护层，覆盖该第二电源/地网状内连接网络及该第一保护层。
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