[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201110056961.0 | 申请日: | 2006-05-30 |
公开(公告)号: | CN102163546A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 斋藤利彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G11C5/02;G11C8/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 管琦琦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,其目的在于减小半导体器件中的电路中电容器所占据的面积,并在于使其上安装电容器和有机存储器的半导体器件小型化。使用外围电路中包含的有机存储器和电容器,其中将与用于有机存储器的含有机化合物层相同的材料用作电介质。这里,外围电路指至少具有电容器的电路,诸如谐振电路、电源电路、升压电路、DA转换器或保护电路。此外,其中将半导体用作电介质的电容器以及其中与含有机化合物层相同的材料用作电介质的电容器上可设置于同一基片。在这种情况中,期望其中与含有机化合物层相同的材料用作电介质的电容器和其中半导体用作电介质的电容器相互并联。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:存储器部分,它包括:在第一方向上延伸的第一线;在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二线;以及存储器元件,它包括形成所述第一线的第一导电层,包含有机化合物的层,和形成所述第二线的第二导电层的堆叠结构;电连接到所述存储器部分的第一电路,其中所述第一电路包括具有电介质层的电容器,所述电介质层包含与所述包含有机化合物的层相同的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110056961.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高耐磨性活塞环组
- 下一篇:池塘过滤器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造