[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110056961.0 申请日: 2006-05-30
公开(公告)号: CN102163546A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 斋藤利彦 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;G11C5/02;G11C8/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 管琦琦
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体器件及其制造方法,其目的在于减小半导体器件中的电路中电容器所占据的面积,并在于使其上安装电容器和有机存储器的半导体器件小型化。使用外围电路中包含的有机存储器和电容器,其中将与用于有机存储器的含有机化合物层相同的材料用作电介质。这里,外围电路指至少具有电容器的电路,诸如谐振电路、电源电路、升压电路、DA转换器或保护电路。此外,其中将半导体用作电介质的电容器以及其中与含有机化合物层相同的材料用作电介质的电容器上可设置于同一基片。在这种情况中,期望其中与含有机化合物层相同的材料用作电介质的电容器和其中半导体用作电介质的电容器相互并联。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:存储器部分,它包括:在第一方向上延伸的第一线;在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二线;以及存储器元件,它包括形成所述第一线的第一导电层,包含有机化合物的层,和形成所述第二线的第二导电层的堆叠结构;电连接到所述存储器部分的第一电路,其中所述第一电路包括具有电介质层的电容器,所述电介质层包含与所述包含有机化合物的层相同的材料。
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