[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110056961.0 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102163546A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 斋藤利彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G11C5/02;G11C8/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 管琦琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
存储器部分，它包括：
在第一方向上延伸的第一线；
在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二线；以及
存储器元件，它包括形成所述第一线的第一导电层，包含有机化合物的层，和形成所述第二线的第二导电层的堆叠结构；
电连接到所述存储器部分的第一电路，
其中所述第一电路包括具有电介质层的电容器，所述电介质层包含与所述包含有机化合物的层相同的材料。
2.如权利要求1所述的半导体器件，包括：
第一晶体管，它具有半导体层；
第一电容器，它具有包含与所述包含有机化合物的层相同的材料的第一电介质层；以及
第二电容器，它具有第二电介质层，
其中所述第二电介质层包含与所述半导体层相同的材料。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一电容器和所述第二电容器相互并联。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电容器的一个电极包含与所述第二导电层相同的材料。
5.如权利要求1所述的半导体器件，包括用于控制所述存储器部分的第二电路。
6.如权利要求1所述的半导体器件，包括：
电源电路，
其中所述电源电路包括具有电介质层的电容器，所述电介质层包含与所述包含有机化合物的层相同的材料。
7.如权利要求1所述的半导体器件，包括：
发送器/接收器电路，其中所述发送器/接收器电路包括具有电介质层的电容器，所述电介质层包含与所述包含有机化合物的层相同的材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中具有整流属性的元件设置于所述第一导电层和所述包含有机化合物的层之间或者设置于所述包含有机化合物的层和所述第二导电层之间。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述具有整流属性的元件是将栅电极连接到漏电极的晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
