[发明专利]控制双极半导体元件中的复合速率有效
| 申请号： | 201110052049.8 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102195623B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;H01L29/739;H01L29/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李娜,李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及控制双极半导体元件中的复合速率。公开了一种用于控制双极半导体元件的基极区域中的复合速率的方法以及一种双极半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 半导体 元件 中的 复合 速率 | ||
【主权项】：
一种用于控制双极半导体元件中的复合速率的方法，该双极半导体元件能操作为进入导通状态和断开状态且包含其中在导通状态中存在具有p型和n型电荷载流子的电荷载流子等离子体的基极区域，该方法包含：提供复合速率控制结构，该控制结构包含与基极区域毗邻的电介质层、通过该电介质层与基极区域分离的控制电极、以及复合中心；以及在该半导体元件进入导通状态之后且在该半导体元件进入断开状态之前，在控制电极和基极区域之间施加控制电压，该控制电压选择为使得在基极区域中产生电场，该电场减小复合中心的区域中的一种类型的电荷载流子浓度，其中该半导体元件还包含互补掺杂的第一和第二发射极，该基极区域布置在第一和第二发射极之间。
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