[发明专利]生长氮化物半导体的方法及由其形成的氮化物半导体衬底在审
| 申请号： | 201110041543.4 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102191539A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朴性秀;李文相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;H01L21/20;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及生长氮化物半导体的方法及由其形成的氮化物半导体衬底。一种生长氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成氮化物半导体点；以及在该氮化物半导体点上生长氮化物半导体层。该氮化物半导体层可从该衬底分离以用作氮化物半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化物 半导体 方法 形成 衬底 | ||
【主权项】：
一种生长氮化物半导体层的方法，该方法包括：准备衬底；在该衬底上形成氮化物半导体点；以及在该氮化物半导体点上生长氮化物半导体层。
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