[发明专利]直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法有效
| 申请号： | 201110040168.1 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102127755A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱晓东;丁芳;詹如娟;倪天灵;柯博 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C16/503 | 分类号： | C23C16/503;C23C16/513;C23C16/27;C30B25/00;C30B29/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种直流辉光等离子体装置，包括：电极系统、水冷真空系统和电源控制系统，所述电源控制系统包括脉冲直流电源。本发明提供的装置可以在高气压条件下采用放电的脉冲运行，有效地抑制辉光向弧放电转移，能够得到稳定的高气压直流辉光放电等离子体。本发明还提供一种直流辉光等离子体的处理方法和一种金刚石片的制备方法，采用从脉冲到稳态运行来产生高气压辉光等离子体。脉冲运行有效地抑制辉光向弧放电转移，同时维持等离子体的稳定；此外通入氩气有利于获得稳定的均匀等离子体。由于稳定的高气压均匀等离子体中含有大量的活性粒子，可以大大提高金刚石片的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 辉光 等离子体 装置 金刚 石片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种直流辉光等离子体装置，其特征在于，包括：电极系统、水冷真空系统和电源控制系统，所述电源控制系统包括脉冲直流电源。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
