[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法

摘要

本发明揭露一种发光二极管阵列及其制造方法，首先形成一发光二极管结构于一暂时基板上；进行一元件化程序，通过间隙区隔发光二极管结构为第一发光二极管与第二发光二极管，且分别电性连接一第一电极以及一第二电极；放置至少一种高分子材料层于发光二极管结构上方且至少部分填充于间隙当中；于高分子材料层上形成至少一内连线，电性连接第一电极与第二电极；于完成内连线的高分子材料层上形成一功能结构；最后移除暂时基板。

主权项

一种发光二极管阵列，包含一功能结构、一第一发光二极管、一第一电极、一第二发光二极管、一第二电极以及一内连线，其特征在于：该功能结构至少包含一永久基板，该第一发光二极管位于功能结构的上方，该第一电极电性连接该第一发光二极管，且位于该第一发光二极管与该功能结构之间，该第二发光二极管位于功能结构的上方，该第二电极电性连接该第二发光二极管，且位于该第二发光二极管与该功能结构之间，该第一发光二极管与该第二发光二极管被一间隙所分隔，该发光二极管阵列还包括至少一层高分子材料，至少部分填充于该间隙当中，该内连线位于该高分子材料层的下方，电性连接该第一电极与该第二电极。