[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，包含一功能结构、一第一发光二极管、一第一电极、一第二发光二极管、一第二电极以及一内连线，其特征在于：该功能结构至少包含一永久基板，该第一发光二极管位于功能结构的上方，该第一电极电性连接该第一发光二极管，且位于该第一发光二极管与该功能结构之间，该第二发光二极管位于功能结构的上方，该第二电极电性连接该第二发光二极管，且位于该第二发光二极管与该功能结构之间，该第一发光二极管与该第二发光二极管被一间隙所分隔，该发光二极管阵列还包括至少一层高分子材料，至少部分填充于该间隙当中，该内连线位于该高分子材料层的下方，电性连接该第一电极与该第二电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列更包含至少一层介电材料位于该高分子材料与该内连线之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该功能结构至少包含该永久基板与一绝缘层，该绝缘层位于该永久基板的上方，且该第一发光二极管、该第一电极、该第二发光二极管、该第二电极、该至少一层高分子材料、该内连线均位于该绝缘层上方。

4.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该功能结构包含该永久基板、一种子层、一反射层以及一绝缘层，该种子层位于该永久基板的上方，该反射层位于该种子层的上方，该绝缘层位于该反射层的上方。

5.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该功能结构包含该永久基板、一反射层以及一绝缘层，该反射层位于该永久基板的上方，该绝缘层位于该反射层的上方。

6.如权利要求5所述的发光二极管阵列，其特征在于：该绝缘层包含一黏胶层。

7.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该绝缘层是为一绝缘反射层。

8.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第一发光二极管与该第二发光二极管并联连接。

9.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第一发光二极管与该第二发光二极管串联连接，且该第一发光二极管更电性连接一第三电极，其电性与该第一电极相反，该第二发光二极管更电性连接一第四电极，其电性与该第二电极相反。

10.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列更包含一第一外部开口以及一第一外连线，该第一外部开口穿过该第一发光二极管，而露出该第三电极，该第一外连线形成于该第一外部开口中，电性接触至该第三电极。

11.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列更包含一第二外部开口以及一第二外连线，该第二外部开口穿过该第二发光二极管，而露出该第四电极，该第二外连线形成于该第二外部开口中，电性接触至该第四电极。

12.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列更包含一第三发光二极管，具有短路的电极结构，与该第一发光二极管相关的该第三电极电性连接，该第三发光二极管更具有一第三外连线，以便于该发光二极管阵列与外部环境电性连接。

13.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列更包含一第四发光二极管，具有短路的电极结构，与该第二发光二极管相关的该第四电极电性连接，该第四发光二极管更具有一第四外连线，以便于该发光二极管阵列与外部环境电性连接。

14.一种发光二极管阵列的制造方法，包含：

形成一发光二极管结构于一暂时基板上；

进行一元件化程序，通过一间隙区隔该发光二极管结构为一第一发光二极管与一第二发光二极管，其中，该第一发光二极管电性连接一第一电极，该第二发光二极管电性连接一第二电极；

放置至少一种高分子材料于该发光二极管结构上方且至少部分填充于该间隙当中；

于该高分子材料上形成至少一内连线，电性连接该第一发光结构相关的该第一电极与该第二发光结构相关的该第二电极；

于完成该内连线的该高分子材料上形成一功能结构；以及

进行一移除暂时基板程序。

15.如权利要求14所述的发光二极管阵列的制造方法，其特征在于：于该高分子材料填充于该间隙后，进行一移除程序以移除部分该高分子材料而露出该第一发光结构相关的该第一电极与该第二发光结构相关的该第二电极。