[发明专利]穿硅通孔结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110036024.9 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102637656A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 赵超;陈大鹏;欧文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中沉积填充可刻蚀的导电材料，形成连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行减薄，至暴露出所述连接钉。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，而且可以适用于多种半导体生产线。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种穿硅通孔结构，其特征在于，包括：半导体衬底；贯穿所述半导体衬底的通孔；填充所述通孔的连接钉，所述连接钉的材料为可刻蚀的导电材料。
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